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IXTA150N15X4-7-VB实物图
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IXTA150N15X4-7-VB

N沟道；电压：150V；电流：160A；导通电阻：5(mΩ)

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描述
台积电流片，长电科技封装；TO263-7L；N—Channel沟道；150V；160A；RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IXTA150N15X4-7-VB
商品编号
C47993997
商品封装
TO-263-7L​
包装方式
管装
商品毛重
1.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)75nC@10V
输入电容(Ciss)6.5nF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)246pF

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