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RDD022N50TL-VB
N沟道；电压：650V；电流：2A；导通电阻：4300(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；2A；RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Plannar技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RDD022N50TL-VB
- 商品编号
- C47994013
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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