IRL2910STRRPBF-VB
N沟道;电压:100V;电流:70A;导通电阻:20(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;100V;70A;RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRL2910STRRPBF-VB
- 商品编号
- C47994001
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个800个/圆盘
总价金额:
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