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FDD86113LZ-VB
N沟道；电压：100V；电流：15A；导通电阻：114(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；100V；15A；RDS(ON)=114(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDD86113LZ-VB
- 商品编号
- C47994009
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 114mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温150 °C
- PWM优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
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