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IRFR9210TRPBF-VB实物图
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IRFR9210TRPBF-VB

P沟道；电压：-100V；电流：-8.8A；导通电阻：250(mΩ)

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描述
台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-100V；-8.8A；RDS(ON)=250(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFR9210TRPBF-VB
商品编号
C47993991
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.61克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)8.8A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)34.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.055nF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)65pF

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