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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

RFM6P10-VB

P沟道；电压：-100V；电流：-18A；导通电阻：167(mΩ)

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描述
台积电流片，长电科技封装；TO220；P—Channel沟道；-100V；-18A；RDS(ON)=167(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RFM6P10-VB
商品编号
C47993976
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))178mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.1W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)100nC@10V
输入电容(Ciss)1.46nF
反向传输电容(Crss)280pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)330pF

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