STD105N10F7AG-VB
N沟道;电压:100V;电流:55A;导通电阻:11.5(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;100V;55A;RDS(ON)=11.5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用SGT技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STD105N10F7AG-VB
- 商品编号
- C47993967
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电源-不间断电源-交/直流开关电源-照明-同步整流-直流/直流转换器-电机驱动开关-直流/交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器
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