CSD19532KTT-VB

N沟道；电压：100V；电流：140A；导通电阻：4(mΩ)

描述

台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；100V；140A；RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

CSD19532KTT-VB

商品编号

C47993960

商品封装

TO-263​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)