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SIHF9520S-GE3-VB
P沟道；电压：-100V；电流：-12A；导通电阻：200(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道；-100V；-12A；RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIHF9520S-GE3-VB
- 商品编号
- C47993957
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电源开关
- 大电流应用中的负载开关
- DC/DC转换器
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