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FDME910PZT-VB实物图
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FDME910PZT-VB

P沟道；电压：-20V；电流：-10A；导通电阻：20(mΩ)

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描述
台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)；P—Channel沟道；-20V；-10A；RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-0.6V；采用Trench技术；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDME910PZT-VB
商品编号
C47993956
商品封装
DFN-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.27克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)19W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))600mV@250uA
栅极电荷量(Qg)75nC@8V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

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