NVBGS4D1N15MC-VB
N沟道;电压:150V;电流:160A;导通电阻:5(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO263-7L;N—Channel沟道;150V;160A;RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用SGT技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NVBGS4D1N15MC-VB
- 商品编号
- C47993947
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温150 °C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源
- 不间断电源
- 交直流开关电源
- 照明
- 同步整流
- 直流-直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流-交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器
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