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FDB082N15A-VB
N沟道；电压：150V；电流：140A；导通电阻：5.6(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；150V；140A；RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDB082N15A-VB
- 商品编号
- C47993931
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 128A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.4mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.425nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C的结温
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器