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STD47N10F7AG-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STD47N10F7AG-VB

N沟道;电压:100V;电流:35A;导通电阻:21(mΩ)

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描述
台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;100V;35A;RDS(ON)=21(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用SGT技术;
商品型号
STD47N10F7AG-VB
商品编号
C47993920
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.62克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))21mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)76nC@10V
输入电容(Ciss)3.6nF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)246pF

商品特性

  • SGT技术功率MOSFET
  • 100% Rq和UIS测试
  • 最高结温150°C
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 电源-不间断电源-交/直流开关电源-照明-同步整流-直流/直流转换器-电机驱动开关-直流/交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器

数据手册PDF