温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZVNL110GTA-VB
N沟道；电压：100V；电流：5A；导通电阻：100(mΩ)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT223；N—Channel沟道；100V；5A；RDS(ON)=100(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ZVNL110GTA-VB
- 商品编号
- C47993914
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 沟槽功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
相似推荐
其他推荐
- NTTFS5116PLTWG-VB
- FDS3590-VB
- SUM110P06-08L-E3-VB
- IAUT300N10S5N015-VB
- IPP076N15N5-VB
- STD47N10F7AG-VB
- IPP05CN10N G-VB
- STP165N10F4-VB
- STD2N62K3-VB
- IRF9542-VB
- BSC072N08NS5-VB
- FDME905PT-VB
- IRF9520SPBF-VB
- NTMFS005N10MCLT1G-VB
- IRFS4410ZTRL-VB
- HUF76639S3ST-VB
- FDB082N15A-VB
- NTB6413ANT4G-VB
- AUIRFR540Z-VB
- FDMS86104-VB
- AUIRFR5410-VB