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SUM110P06-08L-E3-VB
P沟道；电压：-60V；电流：-120A；导通电阻：5(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道；-60V；-120A；RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-3V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SUM110P06-08L-E3-VB
- 商品编号
- C47993917
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 345nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 900pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器