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BSZ15DC02KDHXTMA1-VB
N+P沟道；电压：±30V；电流：8/-6A；导通电阻：13/40(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)-B；N+P—Channel沟道；±30V；8/-6A；RDS(ON)=13/40(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.6/-1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSZ15DC02KDHXTMA1-VB
- 商品编号
- C47993901
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
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