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SI2333-TP-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-3.5A；导通电阻：71(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-20V；-3.5A；RDS(ON)=71(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=-0.8V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2333-TP-VB
- 商品编号
- C47993906
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品特性
- 结温175 °C
- SGT技术功率MOSFET
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET