温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2325DS-T1-E3-VB
P沟道；电压：-60V；电流：-0.5A；导通电阻：3000(mΩ)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2325DS-T1-E3-VB
- 商品编号
- C47993908
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 高端开关
- 低导通电阻:3 Ω
- 低阈值:-2 V(典型值)
- 快速开关速度:20 ns(典型值)
- 低输入电容:20 pF(典型值)
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- P 沟道 MOSFET
相似推荐
其他推荐