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PMV48XP,215-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-4A；导通电阻：60(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-20V；-4A；RDS(ON)=60(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=-0.8V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMV48XP,215-VB
- 商品编号
- C47993904
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 或门操作
- 服务器