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BSH201,215-VB
P沟道；电压：-60V；电流：-0.5A；导通电阻：3000(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSH201,215-VB
- 商品编号
- C47993905
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 460mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品可选
- 沟槽功率 MOSFET
- 超低导通电阻
- 小尺寸
- 符合 RoHS 标准
- 无卤产品可选
应用领域
- DC/DC 电源中的有源钳位电路