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FDS9435A-VB
P沟道；电压：-30V；电流：-5.8A；导通电阻：33(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOP8；P—Channel沟道；-30V；-5.8A；RDS(ON)=33(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS9435A-VB
- 商品编号
- C47993895
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源
- 不间断电源
- 交流/直流开关电源
- 照明
- 同步整流
- 直流/直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流/交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器
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