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SI7461DP-T1-E3-VB
P沟道；电压：-60V；电流：-50A；导通电阻：11(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；P—Channel沟道；-60V；-50A；RDS(ON)=11(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2.5V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7461DP-T1-E3-VB
- 商品编号
- C47993899
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- DC/DC 转换器-便携式应用的负载开关
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