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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SUM110P06-07L-E3-VB

P沟道;电压:-60V;电流:-120A;导通电阻:5(mΩ)

描述
台积电流片,长电科技封装;TO263;P—Channel沟道;-60V;-120A;RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-3V;采用Trench技术;
商品型号
SUM110P06-07L-E3-VB
商品编号
C47993900
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
管装
商品毛重
1.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.75W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)345nC@10V
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道

商品特性

  • 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
  • 沟槽功率MOSFET
  • 高端开关
  • 低导通电阻:3 Ω
  • 低阈值:-2 V(典型值)
  • 快速开关速度:20 ns(典型值)
  • 低输入电容:20 pF(典型值)
  • 符合RoHS指令2002/95/EC

数据手册PDF