FDMS86163P-VB
P沟道;电压:-100V;电流:-28A;导通电阻:32(mΩ)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);P—Channel沟道;-100V;-28A;RDS(ON)=32(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDMS86163P-VB
- 商品编号
- C47993898
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- 沟槽第四代P沟道功率MOSFET
- 可实现更高的功率密度
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 移动设备电池管理
- 适配器和充电器开关
- 电池开关
- 负载开关
相似推荐
其他推荐
- SI7461DP-T1-E3-VB
- SUM110P06-07L-E3-VB
- BSZ15DC02KDHXTMA1-VB
- STL9P3LLH6-VB
- SSM6N7002KFU,LF(T-VB
- PMV48XP,215-VB
- BSH201,215-VB
- SI2333-TP-VB
- CSD19531Q5A-VB
- SI2325DS-T1-E3-VB
- PMV240SPR-VB
- CSD17311Q5-VB
- BSC109N10NS3G-VB
- FDS6690A-VB
- AO6404-VB
- ZVNL110GTA-VB
- NTTFS5116PLTWG-VB
- FDS3590-VB
- SUM110P06-08L-E3-VB
- IAUT300N10S5N015-VB
- IPP076N15N5-VB
