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NDS7002A-VB
N沟道；电压：60V；电流：0.3A；导通电阻：2800(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；N—Channel沟道；60V；0.3A；RDS(ON)=2800(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NDS7002A-VB
- 商品编号
- C47993891
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET，高端开关
- 低导通电阻：3 Ω
- 低阈值：-2 V（典型值）
- 快速开关速度：20 ns（典型值）
- 低输入电容：20 pF（典型值）
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- P 沟道 MOSFET
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