BSS308PEH6327-VB
P沟道;电压:-30V;电流:-5.6A;导通电阻:46(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;P—Channel沟道;-30V;-5.6A;RDS(ON)=46(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSS308PEH6327-VB
- 商品编号
- C47993887
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 提供无卤选项
- 沟槽功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备的负载开关
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