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IRF9310TRPBF-VB
P沟道；电压：-30V；电流：-18A；导通电阻：5(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOP8；P—Channel沟道；-30V；-18A；RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-3V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF9310TRPBF-VB
- 商品编号
- C47993886
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.42nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 用于移动计算
- 负载开关
- 笔记本电脑适配器开关
- DC/DC转换器
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