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2SJ195-VB
P沟道；电压：-100V；电流：-8.8A；导通电阻：250(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-100V；-8.8A；RDS(ON)=250(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SJ195-VB
- 商品编号
- C47993884
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.055nF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻新封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
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