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BRCS080N04SDP

N沟道 耐压:40V 电流:54A

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描述
N;(Vdss): 40V;(Id): 54A;(RDS(on)): 8mΩ
商品型号
BRCS080N04SDP
商品编号
C46962486
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)54A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)39W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)21nC@10V
输入电容(Ciss)850pF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)115pF

商品概述

TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。

商品特性

  • 漏源电压(V) = 40V
  • 漏极电流 = 54A(栅源电压 = ±20V)
  • 10V 时的导通电阻 ≤ 8 毫欧(典型值 7.5 毫欧)
  • 无卤产品。

应用领域

  • 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
  • 这些器件非常适合高效开关型 DC/DC 转换器和开关电源。

数据手册PDF