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BRCS080N10SDP

N沟道 耐压:100V 电流:68A

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描述
1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(ld):68A,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V
商品型号
BRCS080N10SDP
商品编号
C46962494
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3865克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)68A
导通电阻(RDS(on))6.2mΩ@10V;8.2mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)75W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)37nC@10V
输入电容(Ciss)2.41nF
反向传输电容(Crss)100pF
类型N沟道
输出电容(Coss)900pF

商品概述

TO-252 塑封封装 N 沟道场效应管。

商品特性

  • VDS = 100 V,ID = 68 A
  • 10 V 时 RDS(ON) ≤ 8 mΩ(典型值 6.2 mΩ)
  • 4.5 V 时 RDS(ON) ≤ 12 mΩ(典型值 8.2 mΩ)
  • 无卤产品。

应用领域

  • 高频开关和同步整流。

数据手册PDF