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BRCS019N10SHTL

BRCS019N10SHTL

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描述
1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(ld):292A,导通电阻(RDS(on)):1.9mΩ@10V
商品型号
BRCS019N10SHTL
商品编号
C46962501
商品封装
TOLL-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.952克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)292A
导通电阻(RDS(on))1.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)312.5W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)168nC
输入电容(Ciss)11.132nF
反向传输电容(Crss)532pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.78nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

TOLL-8L封装N沟道场效应管。 N沟道MOSFET,采用TOLL-8L塑料封装。

商品特性

  • VDS(V) = 100 V,ID = 292 A
  • RDS(ON) @ 10 V ≤ 1.9 mΩ(典型值1.6 mΩ)
  • 无卤产品。

应用领域

-液晶电视电器-大功率逆变系统

数据手册PDF