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BRCS080N02DP
N沟道 耐压:20V 电流:65A
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- 描述
- 1个N沟道，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(ld): TBD，导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS080N02DP
- 商品编号
- C46962503
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V；6.2mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。 N 沟道 MOSFET,采用 TO-252 塑料封装。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V,漏极电流(ID) = 65A(栅源电压 VGS = ±12V)
- 栅源电压为 4.5V 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 8mΩ(典型值 5mΩ)
- 栅源电压为 2.5V 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 10mΩ(典型值 6.2mΩ)
- 无卤产品
应用领域
- 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关
- 这些器件非常适合高效开关型 DC/DC 转换器和开关电源