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GT055N06D5
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：90A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：3.8mΩ@10V 5.5mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(5x6)
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT055N06D5
- 商品编号
- C46963438
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 617pF |
商品概述
GT055N06D5采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 漏源电压VDS:60V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):90A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 4.8mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):< 7mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器