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GT040N10M
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：140A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：3.7mΩ@10V 4.6mΩ@4.5V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT040N10M
- 商品编号
- C46963441
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 755pF |
商品概述
TO-263塑封封装的N沟道场效应管。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 225 A
- 10 V时，RDS(on) ≤ 2.2 mΩ（典型值1.9 mΩ）
- 4.5 V时，RDS(on) ≤ 3.5 mΩ（典型值2.5 mΩ）
- 无卤产品。
应用领域
- 该器件适用于高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑结构的电子镇流器。
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