温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GT100N20TT
N沟道增强型功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：200V@@连续漏极电流(Id)：130A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：8mΩ@10V @@封装：TOLT
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT100N20TT
- 商品编号
- C46963448
- 商品封装
- TOLT
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ES5N10S是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES5N10S为无铅产品。
商品特性
- VDS 200V
- ID(VGS = 10 V 时)130A
- RDS(ON)(VGS=10 V 时)< 10 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐