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GT880P15D5
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-150V@@连续漏极电流(Id)：-30A@@阈值电压(Vgs(th))：-3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：82mΩ@10V 94mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(5x6)
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT880P15D5
- 商品编号
- C46963433
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V；94mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 138W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |