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BRCS020N04BD

BRCS020N04BD

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描述
1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(ld):240A,导通电阻(RDS(on)):3mΩ@10V
商品型号
BRCS020N04BD
商品编号
C46962496
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)44V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))1.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)187W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)68nC
输入电容(Ciss)11nF
反向传输电容(Crss)650pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)840pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

TO-263 塑封封装 N 沟道场效应管。 N 沟道 MOSFET,采用 TO-263 塑料封装。

商品特性

  • 低电阻
  • 开关速度快
  • 无卤产品
  • 超低导通电阻
  • 快速开关
  • 高频产品

应用领域

  • 高效电源模块
  • 主动式功率因数校正(PFC)电路
  • 基于半桥拓扑结构的电子节能灯
  • 高效开关模式电源
  • 主动式功率因数校正
  • 基于半桥拓扑结构的电子镇流器

数据手册PDF