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BRCS030N03BD
N沟道 耐压:30V 电流:167A
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- 描述
- 1个N沟道，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(ld):167A，导通电阻(RDS(on)):3mΩ@10V
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS030N03BD
- 商品编号
- C46962497
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2405克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 167A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 460pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 610pF |
商品概述
TO-263 塑封封装 N 沟道场效应管。 N 沟道 MOSFET,采用 TO-263 塑封封装。
商品特性
-低电阻-开关速度快-无卤产品-超低导通电阻-快速开关-高频产品
应用领域
-高效电源模块-基于半桥拓扑结构的电子节能灯-高效开关模式电源-基于半桥拓扑结构的电子镇流器