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BRCS016N03DP

N沟道 耐压:30V 电流:125A

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描述
1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(ld):125A,导通电阻(RDS(on)):2mΩ@10V
商品型号
BRCS016N03DP
商品编号
C46962495
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3865克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)125A
导通电阻(RDS(on))1.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)156W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)8.5nF
反向传输电容(Crss)670pF
类型N沟道
输出电容(Coss)890pF

商品概述

TO-252 塑封封装的N沟道MOSFET。

商品特性

  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • 低反向传输电容 Crss
  • 开关速度快
  • 无卤产品

应用领域

-低压电路-汽车电路-DC/DC转换-便携式产品的电源高效转换

数据手册PDF