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BRCS030N03DP

BRCS030N03DP

描述
1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(ld):135A,导通电阻(RDS(on)):3mΩ@10V
商品型号
BRCS030N03DP
商品编号
C46962490
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.448克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)35V
连续漏极电流(Id)135A
导通电阻(RDS(on))2.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)32nC
输入电容(Ciss)4.65nF
反向传输电容(Crss)480pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)650pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

TO-252 塑封封装的 N 沟道增强型场效应晶体管。

商品特性

  • 漏源电压 VDS(V) = 30V,漏极电流 ID = 135A(栅源电压 VGS = ±20V)
  • 栅源电压为 10V 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 3mΩ(典型值 2.3mΩ)
  • 栅源电压为 4.5V 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 5mΩ(典型值 3.1mΩ)
  • 无卤产品。

应用领域

-负载开关应用、电池电源管理。

数据手册PDF