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BRCS035N06SHDP

N沟道 耐压:60V 电流:132A

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描述
1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(ld):132A,导通电阻(RDS(on)):3.6mΩ@10V
商品型号
BRCS035N06SHDP
商品编号
C46962493
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3865克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)132A
导通电阻(RDS(on))3.45mΩ@10V
耗散功率(Pd)113W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)43nC@10V
输入电容(Ciss)4.38nF
反向传输电容(Crss)75pF
类型N沟道
输出电容(Coss)1.35nF

商品概述

TO-252塑封封装N沟道场效应管。

商品特性

  • VDS(V) = 60V,ID = 132A(VGS = ±20V)
  • RDS(ON)@10V ≤ 3.6mΩ(典型值3.45mΩ)
  • 无卤产品。

应用领域

  • 用于低压电路,如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品电源的高效转换。
  • 适用于低压应用,如汽车、DC/DC转换器,以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。

数据手册PDF