温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BRCS500P10DP
P沟道 耐压:100V 电流:28A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 1个P沟道，漏源电压(Vdss):-100V，连续漏极电流(ld):-28A，导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS500P10DP
- 商品编号
- C46962492
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 630pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.35nF |
商品概述
TO-252 塑封封装的 P 沟道 MOS 场效应管。
商品特性
- 漏源电压(V) = -100V,漏极电流 = -28A
- 栅源电压为 -10V 时的导通电阻 < 50mΩ(典型值 42mΩ)
- 栅源电压为 -4.5V 时的导通电阻 < 55mΩ(典型值 45mΩ)
- 无卤产品。
应用领域
- 工业级 DC/DC 转换器的电源管理