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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRCS080N10SHDP

N沟道 耐压:100V 电流:68A

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描述
1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(ld):68A,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V
商品型号
BRCS080N10SHDP
商品编号
C46962491
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3855克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)68A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)75W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.9V
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)2.5nF
反向传输电容(Crss)110pF
类型N沟道
输出电容(Coss)1.25nF

商品概述

TO-252塑封封装的N沟道场效应管。 TO-252塑封封装的N沟道MOSFET。

商品特性

-低RDS(ON)-低门电荷-低Crss-快速开关-无卤产品-低RDS(ON)-低门电荷-低Crss-快速开关-无卤产品

应用领域

-适用于低压应用-汽车应用-DC/DC转换器-便携式和电池供电产品电源管理的高效开关-适用于低压应用-汽车应用-DC/DC转换器-便携式和电池供电产品电源管理的高效开关

数据手册PDF