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BRCS060N04DP

N沟道 耐压:40V 电流:70A

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描述
1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(ld):70A,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V
商品型号
BRCS060N04DP
商品编号
C46962489
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))8.6mΩ@4.5V;5.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)2.2nF
反向传输电容(Crss)145pF
类型N沟道
输出电容(Coss)265pF

商品概述

TO-252塑封封装N沟道场效应管。

商品特性

  • VDS(V) = 40 V,ID = 70 A
  • RDS(ON)@10 V < 6 mΩ(典型值5.6 mΩ)
  • RDS(ON)@4.5 V < 12 mΩ(典型值10.8 mΩ)
  • 无卤产品。

应用领域

  • 用于低压电路,如汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换,满足汽车应用的严格要求。

数据手册PDF