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BRD630
N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 描述
- 1个N沟道，漏源电压(Vdss):200V，连续漏极电流(ld):9A，导通电阻(RDS(on)):400mΩ@10V
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRD630
- 商品编号
- C46962487
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3855克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
N沟道TO-252塑封封装场效应管。 N沟道MOSFET,采用TO-252塑料封装。
商品特性
- VDS = 200 V;ID = 9 A;VGS = ± 20 V
- RDS(导通)@10 V ≤ 0.4 Ω(典型值0.35 Ω)
- 无卤产品。
应用领域
-网络-负载开关-LED应用