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BRCS035N04SDP

N沟道 耐压:40V 电流:136A

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描述
1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(ld):136A,导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@10V
商品型号
BRCS035N04SDP
商品编号
C46962488
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)136A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@4.5V;3mΩ@10V
耗散功率(Pd)118W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.7V
栅极电荷量(Qg)51nC@10V;23nC@4.5V
输入电容(Ciss)9.6nF
反向传输电容(Crss)650pF
类型N沟道
输出电容(Coss)740pF

商品概述

TO-252塑封封装的N沟道场效应管。 N沟道MOSFET,采用TO-252塑料封装。

商品特性

  • 低RDS(导通电阻)、低栅极电荷、低Crss(反向传输电容)、快速开关、无卤产品。
  • 低RDS(导通电阻)、低栅极电荷、低Crss、快速开关、无卤产品。

应用领域

  • 适用于低压应用,如汽车电路、DC/DC转换器,以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关,满足汽车应用的严格要求。
  • 适用于低压应用,如汽车电路、DC/DC转换器,以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关,满足汽车应用的严格要求。

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