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BSH105,215
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.05A
- 描述
- N沟道、增强型、逻辑电平场效应功率晶体管。该器件的阈值电压极低，开关速度极快，非常适合电池供电应用和高速数字接口。BSH105采用SOT23超小型表面贴装封装
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSH105,215
- 商品编号
- C478010
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.05A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 417mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 570mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 152pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道、增强型、逻辑电平场效应功率晶体管。该器件具有极低的阈值电压和极快的开关速度，非常适合电池供电应用和高速数字接口。BSH105采用SOT23超小型表面贴装封装。
商品特性
- 极低的阈值电压
- 快速开关
- 逻辑电平兼容
- 超小型表面贴装封装