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PSMN2R4-30YLDX

1个N沟道耐压:30V 电流:100A

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描述: 逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET，采用 LFPAK56 封装。NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关，但没有高泄漏电流问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN2R4-30YLDX
商品编号: C478163
商品封装: LFPAK-56
包装方式: 编带
商品毛重: 0.13克(g)

商品参数

商品概述

采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3系列产品，可实现高效、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用。

商品特性

超低的QG、QGD和QOSS，可实现高系统效率，尤其在较高开关频率下
具有软恢复功能的超快开关；s因子 > 1
低尖峰和振铃，适用于低EMI设计
独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术；在25°C时，漏电流 < 1 μA，具有类肖特基性能
针对4.5 V栅极驱动进行优化
低寄生电感和电阻
高可靠性夹片键合和焊料芯片贴装的Power SO8封装；无胶水、无引线键合，可在175°C下使用
可波峰焊接；外露引脚便于进行最佳目视焊接检查

应用领域

服务器和电信的板载DC-DC解决方案
电信应用中的次级侧同步整流
电压调节模块（VRM）
负载点（POL）模块
V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供应
有刷和无刷电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	100A
	导通电阻(RDS(on))	2.4mΩ@10V,25A
	耗散功率(Pd)	106W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.7V
	栅极电荷量(Qg)	16.2nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	2.256nF@15V
	反向传输电容(Crss)	155pF@15V
	工作温度	-55℃~+175℃