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PSMN3R0-30YLDX
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN3R0-30YLDX
- 商品编号
- C478211
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@4.5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 91W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.939nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
LFPAK56 封装的逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET。NextPowerS3 系列产品采用了安世半导体（Nexperia）独特的“肖特基增强”技术，可实现高效能，且通常能避免与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关的高尖峰问题，同时不会出现令人困扰的高漏电流。NextPowerS3 特别适用于高开关频率下的高效应用。
商品特性
- 超低栅极电荷（QG）、栅漏电荷（QGD）和输出电荷（QOSS），可实现高系统效率，尤其在较高开关频率下
- 具备软恢复功能的超快开关特性，s 因子 > 1
- 低尖峰和振铃，适用于低电磁干扰（EMI）设计
- 独特的“肖特基增强”技术，在 25°C 时具有类似肖特基的性能，漏电流 < 1 μA
- 针对 4.5 V 栅极驱动进行优化
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性，采用夹片键合和焊片连接的 Power SO8 封装；无胶水、无引线键合，可在 175°C 环境下工作
- 可进行波峰焊接；外露引脚便于进行目视焊接检查
应用领域
- 服务器和电信设备的板载直流 - 直流解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节模块（VRM）
- 负载点（POL）模块
- V 核心、专用集成电路（ASIC）、双倍数据速率（DDR）、图形处理单元（GPU）、视频图形阵列（VGA）和系统组件的电源输送
- 有刷和无刷电机控制