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PMZ600UNELYL
1个N沟道 耐压:20V 电流:600mA
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMZ600UNELYL
- 商品编号
- C478224
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@4.5V,0.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 715mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21.3pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1006 - 3（SOT883）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低漏电流
- 无引脚超小型SMD塑料封装：1.0 x 0.6 x 0.48 mm
- 静电放电（ESD）保护 > 1 kV HBM
- 漏源导通电阻RDSon = 470 mΩ
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路